Los semiconductores
Un semiconductor es un material aislante que,
cuando se le añaden ciertas sustancias o en un determinado contexto, se
vuelve conductor. Esto quiere decir que, de acuerdo a determinados
factores, el semiconductor actúa a modo de aislante o como conductor.
Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos.
Los semiconductores intrínsecos (que también se
conocen como semiconductores extremadamente puros) son cristales que, a
través de enlaces covalentes entre los átomos, desarrollan una estructura de
tipo tetraédrico A temperatura de ambiente, estos cristales tienen electrones
que absorben la energía que
necesitan para pasar a la banda de conducción, quedando un hueco de electrón en
la banda de valencia.
Los semiconductores extrínsecos, por su
parte, son semiconductores intrínsecos a los que les agregan impurezas para
lograr su dopaje (así se conoce el resultado del proceso que se lleva a cabo para modificar
las propiedades eléctricas de un semiconductor).
SEMICONDUCTORES MAS COMUNES
Los más conocidos y utilizados son el germanio (Ge) y el
silicio (Si), los materiales que estén fabricados con Ge o Si darán 50 veces
más resistencia que los conductores, pero a su vez y más aislantes que los que
no son conductores.
DIODO
Cristal N: Introduciendo unos átomos de
Arsenio sobre la estructura atómica del germanio, lo cual se llama dopado, la
estructura resultante queda del modo que el átomo de Arsenio se integra dentro
de la unión covalente de los átomos de germanio, pero el electrón sobrante
ahora no tiene cabida en el sistema, de modo que queda como electrón libre. Si
ahora aplicamos a uno y otro extremo del material, se establecerá una vía de
paso de los electrones desde el polo negativo al positivo, de modo que el
cristal se hace conductor. A este tipo de cristal se le denomina conductor N, y
al cristal que lo forma cristal N o de tipo N.
Cristal P: Si dopamos el material con
Indio, por ejemplo, y éste entra a formar parte de la estructura del cristal,
habrá un átomo que tendrá su órbita exterior compartida solamente 7 electrones
y ello provocará la inestabilidad del conjunto, pero en vez de quedarse con un
electrón más, queda con alguna parte del cristal hay un hueco que algún
electrón ha de llenar. Ocurre que por la naturaleza de los átomos, el átomo que
tiene el hueco suele quedarse con el electrón más próximo que quede a su
alcance, y que en ese caso el otro átomo se quede sin electrón y a consecuencia
de que esta situación se efectúa a gran velocidad, se podría hablar de un hueco
que está constantemente desplazándose por todo el cristal. De esta manera el
cristal resulta positivo (de tipo P) porque si le aplicamos una fuente de
alimentación, se establecerá una circulación de huecos del polo positivo al
negativo, es decir, los electrones habrán encontrado la vía de los huecos para
atravesar todo el cristal.
Cuando unimos un cristal P con un cristal N, estamos creado un elemento de enorme importancia en la electrónica: el Diodo
El extremo opuesto de esta pieza se dopa con Arsenio de modo
que se crea un exceso de electrones, así se forma la parte de cristal P y la
parte de cristal N. En la parte central se mantiene el material prácticamente
puro, de modo que se forme una zona que los electrónicos llaman zona de
resistencia y también zona agotada (zona Z). Aquí, en las inmediaciones de las
zonas P y N los huecos del germanio P han sido ocupados por los electrones
libres del germanio N, por lo que no existe en esta parte elementos portadores
de carga. La zona Z, por lo tanto, ofrece una elevada resistencia específica,
manteniendo el diodo en reposo.
TRANSISTORES
Debido a que las dos secciones centrales poseen el mismo
dopado, se confunden entre sí, de modo que nos queda una unión real que
equivale, en el primer caso, a P-N-P y en el segundo a N-P-N.
Teoría del Transistor
A vista de esa prueba
realizada este dispositivo ha de tener tres electrodos o bornes, uno por cada
uno de los cristales de que se compone. Al cristal que recibe la corriente, el
primero de los tres, se distingue con el nombre de emisor; el cristal del
centro como base, y al cristal de salida de la corriente, colector. Entonces,
en un transistor de tipo NPN, la primera N será el emisor, P será la base, y la
otra N, el colector. Estos nombres se suelen abreviar con las letras E, B y C
respectivamente.
Para comprender bien el funcionamiento del transistor
debemos recordar la teoría atómica, donde el cristal N es un cristal que tiene
exceso de electrones, y el cristal PT Transistor NPN, es un cristal con exceso
de huecos. Por ejemplo un transistor de tipo NPN, siguiendo la imagen en la que
una fuente de alimentación (B) provee de corriente al emisor, conectado al polo
negativo en el cristal N, negativo también. En estas condiciones se forman como
unas barreras Z1 y Z2 en las uniones con el cristal P de base, que impiden el
paso de la corriente. La base está llena de huecos que pasan a ser ocupados por
los electrones más próximos de los cristales contiguos, formándose estas
barreras de átomos en equilibrio que impide el paso de la corriente (salvo una
muy débil corriente de fuga de escasísimo valor).
Pero si se polariza la fuente del mismo signo que ella,
es decir, con una tensión positiva respecto al emisor, lo que se llama en
sentido contrario, la barrera Z1 desaparece porque el potencial positivo
aplicado a la base repele los huecos hacia los cristales N y penetran en la
zona de resistencia. Los electrones libres del emisor la atraviesan siendo
atraídos por los potenciales positivos de la base y del colector. Dado que el
potencial positivo del colector es mucho más elevado que el de la base, los
electrones se sentirán más atraídos por el primero, por lo que se obtendrá una
elevada corriente del colector (que abreviaremos IC) y una pequeña corriente de
base (IB). La corriente del emisor (IE) será por tanto igual a la suma de la
corriente de colector y la corriente de base, tal como se deduce de las leyes
de Kirchhoff. Es decir:
IE = IC + IB
De esto se deduce que
la corriente que sale Circuito elemental de un transistor. Por el colector no
va incrementada con la corriente de base. De hecho, la corriente que pasa por
emisor y que se designa IE se compone de la corriente de la base y del colector
que luego circularán en diferente sentido. En la imagen vemos un esquema de
circuito elemental de un transistor en el que se designa también el nombre de
las tensiones (V). Así tenemos que VBE es la tensión base-emisor, VCE es la
tensión colector-emisor. Como puede verse, en el emisor las corrientes de base
colector se suman, tal como dice la ley de Kirchhoff.
TIRISTORES
Nos queda como un
transistor al que se le ha añadido un cristal más de igual polaridad al de la
base. Pero también podríamos interpretar este elemento como dos diodos,
colocados uno a continuación del otro; sin embargo, la presencia de una
conexión de base en el cristal P daría unas cualidades muy particulares a esta
nueva unión de materiales semiconductores. Vamos a llamar ánodo (A) al lugar
que corresponde a la entrada de la corriente; cátodo (K) al lugar de salida y
electrodo de gobierno o puerta (G) a la entrada de esta corriente de base que
proporciona especiales características a nuestro nuevo elemento.
Desde el punto de
vista electrónico vemos que este elemento se comporta como un diodo
rectificador pero con especiales condiciones. Por ejemplo, si le aplicamos una
pequeña tensión de ánodo a cátodo, la corriente no circula ni siquiera como
normalmente lo haría un diodo; si le invertimos la polaridad se bloquea también
y la corriente no pasa. Pero si aumentamos la tensión por medio, por ejemplo,
de una resistencia variable potencio métrica, al alcanzar una determinada
tensión este elemento se hace conductor en su sentido de paso, y se convierte
en no conductor de nuevo si la tensión baja de determinados y muy precisos límites.
Esta característica hace que pueda interpretarse como un interruptor que se
conecta a si mismo cuando la tensión aplicada en sentido de paso alcanza cierto
valor. Esta característica va a ser muy importante y va a dar a este elemento
muchas posibilidades de utilización en electrónica.
A este tipo de unión, se le da el nombre de diodo
rectificador controlado de silicio, y se presenta a veces en los esquemas con
las letras SCR (silicon controlled rectifier), pero resulta más corriente
denominarle tiristor.
vídeo para saber mas de los semiconductores: https://youtu.be/fFVU7-kfPe8


Muy buena explicación acerca del tema abordado, a pesar de tener una gran cantidad de información, ésta se encuentra equilibrada con imágenes, y distribuida de tal manera que uno nunca se pierde en el texto.
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